10月29日,三星电子在2026年第三季度财报电话会议上表示,公司2027年的高带宽内存(HBM)产能已按照既定目标价格全部售出,并预计2028年DRAM内存供应仍将保持紧张。
财报会议披露,三星第三季度DRAM和NAND闪存出货量均实现个位数百分比增长,平均售价分别上涨20%和近10%。公司预计,第四季度DRAM出货量将增长15%至20%,NAND出货量增长约15%。
在HBM业务方面,三星表示,其HBM4产品第三季度销售额环比增长超过3倍,占HBM业务总营收的60%。此外,三星存储业务已与10家客户签署长期供应协议(LTA),另有10家客户正在就多年期合同进行洽谈,公司计划通过此类协议锁定60%至70%的产出。
与此同时,三星晶圆代工业务计划增加韩国和美国工厂的投资,并考虑扩大晶圆厂及先进封装产能。
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