用时仅三天！SK海力士ADR较韩国本土股票溢价扩大至51% 顶级机构集体唱多

智通财经获悉，SK海力士(SKHY.US)美国存托凭证(ADR)周二暴涨超27%，不仅完全收复前一个交易日因韩国股市创纪录抛售潮蔓延至美国市场而导致的9.3%的跌幅，同时推动该股在登陆美股交易仅三天后相较韩国上市普通股的溢价已扩大至51%，远高于上周首次公开募股(IPO)时约3%的发行溢价。由于韩国普通股转换为美国ADR受到限制，市场此前就预计SK海力士ADR价格将高于其在首尔市场对应的股票价格。

SK海力士ADR周二的大涨正值该股期权正式在美国期权交易所开始交易，使全球最大衍生品市场的交易员能够更便捷地参与这家波动剧烈的韩国存储芯片制造商的交易。

截至周二美股早盘，SK海力士ADR期权成交量已达约3.3万张合约，其中逾三分之二为本周五到期的短期期权。从成交情况来看，成交最活跃的是执行价185美元的看涨期权，成交量约2900张;执行价145美元的看跌期权紧随其后。此外，8月到期、执行价200美元的看涨期权也受到市场追捧，成交量超过1500张。

Piper Sandler期权业务主管丹尼尔·基尔施表示，预计投资者将主要布局SK海力士ADR本周继续上涨的短线交易机会。他指出，随着SK海力士ADR期权正式上市，散户投资者预计将迅速涌入，因此本周五到期的短期看涨期权可能成为最受欢迎的交易品种。

溢价的扩大除了SK海力士ADR自身的上涨之外，还与SK海力士韩国上市普通股近日的回调有关。在上周五SK海力士完成美股上市之后，由极端仓位、杠杆资金、利好兑现和盈利预期下降共同触发的估值清算导致SK海力士韩国上市普通股周一单日创纪录下跌超15%。

在投资者获利了结的因素之外，韩国本土券商韩国投资证券(KIS)周一发布的一份报告被视为SK海力士股价大跌的导火索。尽管KIS对SK海力士二季度业绩的预测颇为亮眼，但该行给出的营业利润预测较65万亿韩元的市场共识预期低约8%。这引爆了投资者的担忧情绪。不过，该券商同时表示，这仅仅是将高带宽内存(HBM)长期供应协议(LTAs)纳入考量后，对盈利预测进行的正常化调整，并不意味着行业增速放缓。

有分析指出，相较同行，SK海力士高带宽内存(HBM)营收占比更高，平均售价(ASP)涨幅反而低于行业均值。HBM通常以长期供应协议锁定价格，因此短期内不会随市场行情价而大幅变动。相比之下，当市场整体涨价时，传统DRAM和NAND这类产品的平均售价涨幅更大。

KIS指出，长期供应协议虽限制了价格爆发力，但也提升了获利的稳定性，降低了内存产业长期以来的波动性。未来市场对存储企业的估值逻辑将重塑，将更侧重盈利的可持续性，而非短期利润规模。

尽管KIS仍然看好SK海力士，并强调其最新报告并不意味企业盈利恶化、行业增速放缓，但投资者对二季度营业利润“不及市场预期”极为敏感，因此在周一纷纷抛售SK海力士股票。

从技术层面来看，此轮暴跌已将SK海力士韩国上市普通股推入超卖区间，部分分析师认为短期买入机会正在形成，尤其是该股股价已较高位跌近40%。MRM Research资深分析师尼科·罗斯蒂表示，SK海力士韩国上市普通股股价目前呈现“深度超卖”特征，“再跌一周是可能的，但我们将其视为重大加仓/增持机遇。韩国市场的反弹应会推动ADR更大幅度走高，因此这是一个不错的买入时机”。

此外，在美国银行、野村等华尔街巨头以及SemiAnalysis等顶级市场研究机构们看来，这轮全球存储芯片乃至AI算力基础设施投资主题股票普遍暴跌更接近极端预期、极端杠杆化仓位与过度拥挤看涨仓位的集中清算，而不是产业需求突然坍塌。SK海力士美股上市后的获利回吐、韩国本土股票与美国存托凭证之间的估值错位，以及杠杆资金集中平仓，共同放大了价格波动。

SemiAnalysis预计SK海力士2026年第二季度DRAM综合平均售价(ASP)将环比大涨约45%，DRAM项目营业利润将达55万亿韩元，预计公司营业利润率将达到历史最高位。SemiAnalysis报告明确指出，“Be Greedy When Others Are Fearful(当别人害怕时要贪婪)”，强调尽管近期存储芯片剧烈波动引发投资者担忧，SK海力士及其他头部存储企业“仍是半导体行业中风险收益比最具吸引力的标的之一”。