DRAM与NAND携手狂飙！存储芯片成AI时代最硬通货，美光与闪迪迎接“AI超级红利”

智通财经获悉，在人工智能数据中心无比强劲需求的推动下，DRAM/NAND系列存储价格将继续飙升，美国两大超级存储巨头——美光科技(MU.US)以及闪迪(SNDK.US)在周三美股科技股强势大反弹之际再度成为全球投资者关注焦点，两者股价在周三美股收盘时单日均大幅上涨近6%，带动存储板块以及纳斯达克指数大举反攻。法国巴黎银行(BNP PARIBAS)近日发布研报称，DRAM合约价在2026自然年一季度料环比大涨90%，长期以稳健价格曲线著称的NAND则有望大幅上涨55%，而且二季度将延续自2025年下半年以来的涨价轨迹。

法巴银行对于存储价格的涨势判断并不是孤立观点。TrendForce最近将2026年第一季度的常规DRAM合约价预期从此前预估的季增55%-60%上修到+90%至+95%(QoQ，即环比基准)、NAND Flash合约价格则大幅上修到+55%至+60% QoQ，并指出北美云计算厂商们对enterprise SSD(即数据中心企业级SSD，eSSD) 的需求激增，推动其价格在第一日历季度还将再涨53%至58% QoQ。这些都说明一个关键事实：存储芯片成为AI超级大浪潮里不逊于英伟达AI芯片的“绝对C位”，并且仍是这轮浪潮中最先出现供需失衡、最先体现定价权的核心供应瓶颈之一。

存储价格疯涨之势停不下来，法巴银行看好美光与闪迪继续狂飙

来自法巴银行的资深分析师Karl Ackerman在给客户的一份报告中写道：“我们对自然年第一季度50多种(动态随机存取存储器，DRAM) SKU和75多种NAND SKU合约价格的深度分析，使我们预估整体动态随机存取存储器平均售价在自然年第一季度可环比大幅上涨90%，随后在自然年第二季度再环比大涨;核心原因在于不断增长的AI服务器需求正在推动更广泛的供需失衡，从而对价格形成持续上行压力。”

“对于NAND系列存储产品，我们预测自然年第一季度价格可能环比大幅上涨55%，随后在自然年第二季度再度实现环比上涨，这一走势主要由供给侧动态不平衡所驱动，因为NAND供应商们持续将产能转向企业级高性能NAND存储产品，同时在新增产能方面仍保持极度审慎。”

分析师Ackerman给予美光高达500美元的12个月内目标价，并给予闪迪高达650美元的目标价。截至周三美股收盘，美光收涨5.55%至400.77美元，闪迪股价收涨5.95%至599美元，法巴银行的目标价意味着两者自2025年以来的强劲牛市轨迹尚未完结。

进一步深入来看，法巴银行的Ackerman指出，2月份现货价格表现更加强劲，而且考虑到现货价格与未来合约价格之间的相关性，随着合约续签临近，这对整个存储芯片行业而言是个非常乐观的好兆头。

Ackerman解释称：“在上行周期中，DRAM和NAND现货价格往往会较合约价格存在显著溢价。2月份的市场定价显示，消费电子级DDR4现货价格环比上涨11%(意味着同比大幅上涨1284%)至21.93美元/GB，而合约价格环比上涨7%(英伟达同比上涨688%)至12.17美元/GB，这意味着现货价格较合约价格溢价80%。类似地，消费电子级DDR5系列现货价格环比上涨9%(意味着同比上涨673%)至19.13美元/GB，而合约价格环比上涨3%(同比上涨384%)至11.04美元/GB，这意味着现货价格较合约价格溢价73%。”

另外，周三多家海外媒体报道称，存储行业的最大规模巨头三星已经把动态随机存取存储器(即DRAM系列存储产品)价格大幅上调逾100%。据韩国电子新闻，三星电子已于上月与苹果等最大客户们完成一季度DRAM供货价格的最终谈判，服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%，价格较去年四季度翻倍，部分客户及产品的涨幅甚至超过100%。该报道援引业内知情人士透露，谈判已全面收尾，部分海外客户已完成付款。这一涨幅较今年1月协商的70%水平，在短短一个月内再度扩大约30个百分点。

价格的快速攀升正在重塑全球存储行业的长期合同惯例，尤其是GPU/TPU体系对HBM、DRAM、企业级SSD的愈发依赖导致供需长期不平衡。供货谈判周期已从传统的年度合同压缩至季度合同，如今甚至需要按月调整，折射出存储芯片市场供需失衡的严峻程度。

“谷歌AI算力链”以及“英伟达GPU链”都离不开存储

无论是谷歌主导的无比庞大TPU AI算力集群，抑或海量英伟达AI GPU算力集群，均离不开需要全面集成搭载AI芯片的HBM存储系统，且除了HBM，当前谷歌与OpenAI科技巨头们加速新建或扩建AI数据中心还必须大规模购置服务器级别DDR5存储以及企业级高性能SSD/HDD等存储解决方案;不同于希捷与西部数据集中于垄断近线大容量HDD，闪迪聚焦高性能eSSD，三星电子、SK海力士以及美光这三大存储芯片原厂正好同时卡在多个核心存储领域：HBM、服务器DRAM(包括 DDR5/LPDDR5X)、以及高端数据中心企业级SSD(eSSD)，是“AI内存+存储栈”里最直接的受益者势力，这些存储领军者们可谓共同吃到AI基建“超级红利”。

从底层硬件理论看，AI计算本质上不仅是被算力端限制，也被“数据搬运能力”限制。英伟达GPU也好，TPU算力体系也罢，真正决定大模型训练与推理效率的，不仅是Tensor Core/矩阵单元数量，而是每秒能以多高带宽把权重、KV cache、激活值和中间张量喂进计算核心。

站在半导体与 AI 数据中心基础设施的交叉分析视角，存储芯片之所以“完美卡位”AI 浪潮，是因为它同时吃到训练扩张与推理扩张两条主线，而且它还是跨平台、跨架构、跨生态的“通用收费站”。当AI时代从训练主导转向推理、Agent、长上下文、检索增强主导时，系统对容量、带宽、功耗效率和数据持久层的需求只会更强。

谷歌的一份官方文档明确写到，Cloud TPU具备HBM(高带宽存储器)，以支持更大参数模型和batch size;其面向“推理时代”的 Ironwood TPU则进一步提升了HBM容量与带宽。英伟达这边主导的AI GPU算力体系则更直接：Blackwell Ultra架构的单颗GPU最多配备288GB HBM3e，而GB300 NVL72 机架级系统则是围绕超大HBM容量来提升长上下文推理吞吐规模。换句话说，没有 HBM，GPU/TPU 的峰值算力根本无法被有效兑现;存储带宽与容量，决定了大模型“能不能跑大、跑快、跑满”。

此外，AI数据中心真正依赖的存储系统，从来不只HBM。完整的AI存储层次其实是：HBM负责离加速器最近的高速供数，DDR5/RDIMM/LPDRAM负责主机内存扩展与数据预处理，企业级SSD则负责训练数据集、检查点、向量库、RAG检索和推理缓存等持久化数据通路。比如美光官方就把AI数据中心存储解决方案定义为覆盖训练与推理的“完整存储器件组合”;同时也明确表示，其eSSD产品线用于让AI pipeline在训练和推理中维持高效数据供给。TrendForce也指出，随着AI推理时代到来，北美云计算巨头们正迅速增加高性能存储采购，其中eSSD 需求远超预期。也就是说，AI GPU集群离不开存储，Google TPU集群同样离不开存储——区别只在加速器品牌不同，但数据存储底层都必须建立在HBM+服务器DRAM+ NAND/SSD的完整金字塔之上。

花旗集团的分析师们在其最新的存储价格展望中，展现了比瑞银、野村和摩根大通更为激进的“存储超级周期”立场。花旗的分析师们认为，受AI Agent(即AI智能体代理式工作流)普及和AI CPU内存需求激增的驱动，存储芯片价格将在2026年出现失控式上涨，因此将2026年DRAM的平均售价(ASP)涨幅预期从原本的53%暴力上调至88%，NAND的涨幅预期从44%上调至74%;受AI训练和推理需求的双重推动，2026年服务器DRAM的ASP有望同比暴涨144%(此前预测为+91%);以主流产品64GB DDR5 RDIMM为例，花旗预测其价格将在2026年第一季度达到620美元，环比增长38%，远高于此前预测的518美元。

在NAND领域，花旗的预测同样激进，将2026年的ASP增长预期从+44%上调至+74%;其中，企业级SSD的ASP预计将同比增长87%。在花旗的分析师们看来，存储芯片市场将进入一个极其剧烈的卖方市场，定价权将完全掌握在三星、SK海力士以及美光、闪迪等存储巨头手中。